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電子元器件在出廠使用之前都需要經(jīng)過環(huán)境與可靠性相關(guān)檢測，包括高低溫試驗、低氣壓試驗、高低溫貯存試驗，濕熱腐蝕試驗等等。接下來為大家重點介紹下關(guān)于電子元器件的高溫貯存試驗。

高溫貯存的原理主要是在試驗箱中模擬高溫條件，對元器件施加高溫應力（無電應力），加快部件體內(nèi)和表面各種物理化學變化的化學反應速率，加速故障過程，使有缺陷的部件盡快暴露；提前消除潛在缺陷。

試驗目的

電子元器件的失效很多是由于環(huán)境溫度造成體內(nèi)和表面的各種物理、化學變化所引起的。溫度升高后，使得化學反應速率大大加快，其失效過程也得到加速，使有缺陷的元器件能及時暴露。通過提高元器件環(huán)境溫度，加速元器件中可能發(fā)生或存在的任何化學反應過程（如由水汽或其他離子所引起的腐蝕作用，表面漏電、沾污以及金-鋁之間金屬化合物的生成等），使具有潛在缺陷的元器件提前失效而剔除。高溫貯存試驗對于表面沾污、引線鍵合不良和氧化層缺陷等都有很好的篩選作用。

試驗原理

高溫貯存是在試驗箱內(nèi)模擬高溫條件，對元器件施加高溫應力（不加電應力），使得元器件體內(nèi)和表面的各種物理、化學變化的化學反應速率大大加快，其失效過程也得到加速，使有缺陷的元器件能盡早暴露。

高溫貯存篩選的特點：

最大的優(yōu)點是操作簡便易行，可以大批量進行，投資少，其篩選效果也不差，因而是目比較普遍采用的篩選試驗項目。

通過高溫貯存還可以使元器件的性能參數(shù)穩(wěn)定下來，減少使用中的參數(shù)漂移，故在GJB548中也把高溫貯存試驗稱為穩(wěn)定性烘焙試驗。

對于工藝和設(shè)計水平較高的成熟器件，由于器件本身已很穩(wěn)定，所以做高溫存貯篩選效果很差，篩選率幾乎為零。

暴露的缺陷

元器件的電穩(wěn)定性、金屬化、硅腐蝕和引線鍵合缺陷等。

注意事項

1. 溫度-時間應力的確定。

在不損害半導體器件的情況下篩選溫度越高越好，因此應盡可能提高貯存溫度。貯存溫度需根據(jù)管殼結(jié)構(gòu)、材料性質(zhì)、組裝和密封工藝而定，同時還應特別注意溫度和時間的合理確定。有一種誤解認為溫度越高、時間越長篩選考驗就越嚴格，這是錯誤的。例如：如果貯存溫度過高、時間過長則使器件加速退化以及對器件的封裝有破壞性，還有可能造成引線鍍層微裂及引線氧化，使得可焊接性變差。確定溫度、時間對應關(guān)系的原則是：保持對元器件施加的應力強度不能變，即如果提高了貯存溫度，則應減少貯存時間。對于半導體器件來說，最高貯存溫度除了受到金屬與半導體材料共熔點溫度的限制以外，還受到器件封裝所用的鍵合絲材料、外殼漆層及標志耐熱溫度和引線氧化溫度的限制。因此，金-鋁鍵合的器件最高貯存溫度可選用150 ℃，鋁-鋁鍵合最高可選用200 ℃，金-金鍵合器件最高可選用300 ℃。對電容器來說，最高貯存溫度除了受到介質(zhì)耐熱溫度限制外，還受到外殼漆層和標志耐熱溫度以及引線氧化溫度的限制，某些電容器還受到外殼浸漬材料的限制，因此，電容器的最高貯存溫度一般都取它的正極限溫度。

2、高溫貯存多數(shù)在封裝后進行，半導體器件也有在封裝前的圓片階段或鍵合后進行，或封裝前后都進行。

3、國軍標中規(guī)定高溫貯存試驗結(jié)束后，必須在96 小時內(nèi)完畢對元器件的測試對比。